Les geeks à travers le monde s’accordent sur un point, plus ça va vite, mieux c’est. C’est pourquoi les constructeurs de composants ne cessent de repousser les limites de leur processus de fabrication afin d’offrir aux consommateurs ce qu’ils veulent à savoir : toujours plus vite, toujours plus fin.
En ce sens, Samsung Semiconductor vient de passer à l’étape de production de masse de ses modules NAND de 64 Go gravés en 10nm. Comparés à la génération précédente gravée en 20nm, ces modules sont censées offrir plus de 30 % de performances en plus dans un volume 20% moins important.
Une prouesse qui se traduit en théorie par une meilleure expérience utilisateur puisque à stockage égal, un programme se lancera plus vite sur ces puces nouvelle génération comparées à une MicroSD de classe 10 par exemple :
260 mb/s en lecture/écriture séquentielle pour la NAND 10nm contre 24 mb/s et 12 mb/s respectivement en lecture et écriture séquentielle sur une carte SD de classe 10.
La production de masse au sein des usines de Samsung Semiconductor a débuté le mois dernier pour une disponibilité auprès des partenaires fixée au premier semestre 2013.
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