Samsung vient d’annoncer qu’il est parvenu à développer un puce de mémoire vive (RAM) de 4Go LPDDR3 annoncée comme 1,5 fois plus rapide que l’ancienne génération et consommant 20% d’énergie en moins.
Afin d’arriver à ces spécifications, Samsung a eu recours au processus de gravure en 30nm et la puce est capable d’atteindre des débits de 6,4Gbps grâce à un bus mémoire de 32 bits. La puce ne demanderait que 1,2V afin de fonctionner. À titre de comparaison, la LPDDR2 qu’elle est censée remplacer propose un débit de 3.2Gbps si elle est associée à un bus mémoire 32 bits pour une consommation de 1,2V. Concrètement, Samsung est parvenu à doubler la bande passante par rapport à la génération précédente sans toucher à la consommation merci au processus de gravure donc.
La puce de 4Go de LPDDR3 mesure 82mm² et est rétrocompatible avec la LPDDR2, Samsung place toutes ses espérances dans cette innovation qui devrait être rendue disponible aux principaux constructeurs au second trimestre de cette année. La société se prépare ainsi à faire face à la demande qui devrait augmenter en 2013 en entamant la phase de production de masse cette année.
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