Voilà qui est intéressant : Intel et Micron viennent d’annoncer via leur joint-venture IM Flash Technologies (IMFT) la création d’une puce Flash NAND 128 gigabits, gravée en 20 nm (on parle en fait de 8 matrices gravées).
Concrètement, et selon les prévisions réalisées, cette puce pourrait entrer en production de masse dans la première moitié de l’année 2012. De quoi espérer une intégration dans les smartphones haut de gamme d’ici à 2013. Reste que pour le moment, IMFT semble plutôt vouloir se concentrer sur l’équivalent 64 gigabits de la puce. Ce qui signifie qu’il faudrait 16 de ces puces pour atteindre les 128Go cités plus haut. Chaque chose en son temps…
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