JEDEC dévoile des modules DDR5 multiplexés et LPDDR6 CAMM pour une augmentation massive de la bande passante mémoire

Des avantages considérables pour les charges de travail gourmandes en données

En résumé : JEDEC, l’organisation qui développe des normes ouvertes pour l’industrie de la microélectronique, a dévoilé deux nouvelles normes de modules de mémoire qui promettent une augmentation massive de la bande passante : le module de mémoire DDR5 Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module (MRDIMM) et un module de mémoire à compression attachée de nouvelle génération (CAMM) pour LPDDR6. Ces normes pourraient permettre d’augmenter la bande passante vitale nécessaire pour alimenter des processeurs, des GPU et des accélérateurs d’IA de plus en plus puissants au cours des prochaines années.

Actuellement en cours de développement par le comité JC-45 du JEDEC, le MRDIMM est un nouveau type de module qui utilise le multiplexage pour combiner plusieurs signaux de données et les transmettre sur un seul canal, augmentant ainsi efficacement la bande passante sans ajouter de broches et de traces physiques supplémentaires. L'objectif est que les MRDIMM offrent jusqu'à deux fois la bande passante maximale des modules RDIMM DDR5 standard.

Les MRDIMM prendront en charge des débits de données encore plus élevés, jusqu'à 12,8 Gbit/s par broche, contre 6,4 Gbit/s pour les RDIMM DDR5 actuels. Ils sont conçus pour une évolutivité future afin de permettre une compatibilité multigénérationnelle tout au long de la feuille de route DDR5.

Malgré les augmentations radicales de la bande passante, les MRDIMM utiliseront les mêmes composants DIMM DDR5 standard tels que les puces DRAM, la gestion de l'alimentation et les concentrateurs SPD pour maintenir la compatibilité avec les plates-formes existantes.

JEDEC prévoit également un nouveau format « Tall MRDIMM » pour maximiser la densité. Cette conception plus haute permettra de monter deux fois plus de boîtiers DRAM mono-matrice sur le DIMM sans avoir besoin d'un boîtier 3DS.

Pour les applications mobiles, JEDEC travaille en parallèle sur une conception de module actualisée pour le type de mémoire LPDDR6 utilisé dans les smartphones, les tablettes et les ordinateurs portables ultra-minces. S'appuyant sur la norme JESD318 CAMM2 existante qui a permis l'utilisation de modules DDR5 et LPDDR5(X), la nouvelle conception LPDDR6 CAMM vise à atteindre des vitesses de transfert supérieures à 14,4 GT/s. Elle intégrera également un sous-canal de 24 bits, une largeur de canal globale de 48 bits et un réseau de connecteurs, doublant le débit par rapport au LPDDR5 CAMM. La conception compacte devrait permettre à ces nouveaux modules d'être utilisés dans des appareils mobiles minces et soumis à des contraintes thermiques sans nécessiter de RAM soudée.

Les conceptions DDR5 MRDIMM et LPDDR6 CAMM sont toujours en cours de développement au JEDEC. Mais une fois qu'elles seront disponibles, elles s'avéreront cruciales pour des puces comme les GPU Blackwell et Rubin de Nvidia qui se profilent à l'horizon. Elles contiendront un nombre de cœurs incroyable, de sorte que ces nouvelles technologies de mémoire pourraient s'avérer essentielles pour atténuer d'éventuels goulots d'étranglement.